삼성전자, 반도체 ‘초격차’ 10나노급 EUV D램 첫 양산

연내 평택 신규 D램 라인 가동해 증가하는 수요에 대응 10나노급 공정 미세화 기술 확보로 차세대 D램 적기 출시 삼성전자 화성사업장 /삼성전자 제공 [한스경제=김창권 기자] 삼성전자가 업계 최초로 D램에 EUV 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄다. 삼성전자는 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만개 이상을 공급해 글로벌 고객의 평가를…