삼성전자, MRAM 기반 인-메모리 컴퓨팅 세계 최초 구현

데이터 저장-연산 수행 인-메모리 컴퓨팅 구현…저전력 AI 및 뉴로모픽 칩 기술 확장 삼성전자 연구진이 MRAM(자기저항메모리·Magnetoresistive Random Access Memory) 기반의 인-메모리(In-Memory) 컴퓨팅을 세계 최초로 구현했다. 연구 결과를 세계적인 학술지 ‘네이처(Nature)’에 게재했다. 삼성전자 종합기술원 정승철 전문연구원ⓒ 이번 연구는 삼성전자 종합기술원 정승철 전문연구원이 제1저자로, 함돈희 종합기술원 펠로우 및 하버드대학교 교수와 김상준 종합기술원 마스터가 공동 교신저자로 참여했다. 삼성전자 종합기술원,…

삼성전자, MRAM 기반 인-메모리 컴퓨팅 세계 최초 구현

데이터 저장-연산 수행 인-메모리 컴퓨팅 구현…저전력 AI 및 뉴로모픽 칩 기술 확장 삼성전자 연구진이 MRAM(자기저항메모리·Magnetoresistive Random Access Memory) 기반의 인-메모리(In-Memory) 컴퓨팅을 세계 최초로 구현했다. 연구 결과를 세계적인 학술지 ‘네이처(Nature)’에 게재했다. 삼성전자 종합기술원 정승철 전문연구원ⓒ 이번 연구는 삼성전자 종합기술원 정승철 전문연구원이 제1저자로, 함돈희 종합기술원 펠로우 및 하버드대학교 교수와 김상준 종합기술원 마스터가 공동 교신저자로 참여했다. 삼성전자 종합기술원,…

삼성전자, 또 한번 ‘반도체 초격차’…업계 최초 ‘LPDDR5X D램’ 개발

삼성전자가 업계 최초로 ‘LPDDR5X D램’을 개발하며 글로벌 반도체 업계에서의 초격차 경쟁력을 또 한번 증명했다. LPDDR는 저전력(Low Power)을 사용하는 DDR(Double Data Rate) D램으로, 삼성전자는 2018년 세계 최초 8Gb(기가비트) LPDDR5 D램을 개발한 바 있다. 9일 삼성전자에 따르면 14㎚(나노미터·1㎚=10억분의1m) 공정이 적용된 LPDDR5X는 향상된 속도·용량·절전 능력이 특징이다. 삼성전자는 차세대 LPDDR 제품을 통해 5G, 인공지능(AI), 메타버스 등 폭발적으로 성장하는 미래 첨단…

삼성전자, 반도체 업계 최초 LPDDR5X D램 개발…고용량·저전력 확보

[미디어펜=박규빈 기자]삼성전자는 ‘LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5X)’를 글로벌 반도체 업계 최초로 개발했다고 9일 밝혔다. 삼성전자는 2018년 세계 최초 8Gb LPDDR5 D램을 개발한데 이어, 이번 업계최초 LPDDR5X 개발을 통해 모바일 D램 시장에서 기술 리더십을 더욱 공고히 했다는 평가를 받는다.     ▲ 14나노 공정이 적용된 삼성전자 LPDDR5X./사진=삼성전자 제공 삼성전자의 14나노…

삼성전자 “TSMC 보다 빠르다”…신기술 집약 3나노 업계 최초 양산 나선다

최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)이 7일 새벽 열린 `삼성 파운드리 포럼 2021`에서 기조연설을 하고 있다. [사진 제공 = 삼성전자] 삼성전자가 대만 TSMC에 앞서 내년 상반기 중으로 3나노(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 반도체를 양산한다고 공식 선언했다. 삼성전자는 3나노 반도체 양산에 초미세공정의 ‘게임 체인저’로 불리는 신기술 ‘게이트올어라운드(GAA)’를 업계 최초로 적용한다. 업계에서는 삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 미세공정 시장 주도권을 장악하기 위해 3나노 반도체…

삼성 또 세계 최초… 5나노 기반 웨어러블 프로세서 출시

입력 2021.08.10 11:03 수정 2021.08.10 11:09 삼성전자가 최신 5㎚(나노미터·1 ㎚는 10억분의 1m)공정 기반의 웨어러블 기기용 프로세서 ‘엑시노스 W920’을 출시했다. 웨어러블 기기용 프로세서 가운데 5㎚ 공정을 적용한 것은 세계에서 엑시노스 W920이 처음이다. EUV·FO-PLP 등 초소형 패키지 만들기 위한 기술 집약체 웨어러블 기기는 스마트폰과 달리 크기 제약을 많이 받는다. 웨어러블 기기에 탑재되는 칩의 사이즈가 중요한 이유다. 삼성전자는…