[프로필] 김동원 삼성전자 반도체연구소 Logic TD2팀 펠로우(Fellow)

삼성전자는 2022년 정기 임원 인사에서 김동원(사진) 삼성전자 반도체연구소 Logic TD2팀 펠로우(Fellow)를 선임했다고 9일 밝혔다. ◇생년월일 △1965.3.22 ◇학력사항 △고려대 재료공학 학사 △UT Austin 재료공학 석사 △UT Austin 재료공학 박사 ◇주요경력△ △20.02 ~ 현재 삼성전자 반도체연구소 Logic TD실 Logic TD2팀 △18.05 ~ 20.02 삼성전자 반도체연구소 Logic TD실 △11.05 ~ 18.05 삼성전자 반도체연구소 Logic TD팀 △09.02 ~ 11.05…

[프로필] 김동원 삼성전자 DS부문 반도체연구소 로직 TD2팀 펠로우

삼성전자는 9일 2022년 정기 임원인사를 단행하고 김동원 삼성전자 DS부문 반도체연구소 로직 TD2팀 펠로우로 선임했다고 밝혔다. 김동원 삼성전자 DS부문 반도체연구소 로직 TD2팀 펠로우 김동원 펠로우는 로직 소자 개발 전문가로 수세대에 걸쳐 공정 미세화 한계 극복을 위한 핀펫(FinFET), MBCFET 등 신소자 스케임 개발 및 제품화에 기여했다는 평가를 받는다. – 출생연도 : 1965년 3월 22일 (56세) – 학력…

[프로필] 윤보언 삼성전자 반도체연구소 공정개발실 펠로우

윤보언 삼성전자 반도체연구소 공정개발실 펠로우. (사진=삼성전자) 삼성전자는 2021년 정기 임원인사를 단행하고 윤보언 반도체연구소 공정개발실 펠로우를 선임했다고 4일 밝혔다. 삼성전자는 “차세대 반도체 CMP 공정, 설비, 소재 등 세계적인 기술 권위자로 CMP 관련 난제 해결을 통해 반도체 수세대 제품 경쟁력 제고에 기여했다”고 선임 사유를 밝혔다. 다음은 윤보언 삼성전자 반도체연구소 공정개발실 펠로우의 약력이다. ◇ 윤보언 반도체연구소 공정개발실 펠로우…

[삼성 프로필] 황기현 삼성전자 반도체연구소 부사장

[아이뉴스24 민혜정 기자] 삼성전자는 2021년 정기 임원 인사를 실시하고 황기현 반도체연구소 파운드리 공정개발팀장을 부사장으로 승진시켰다고 4일 발표했다. 황 부사장은 디퓨전(Diffusion) 공정개발에 대한 세계최고 수준의 기술력을 보유한 전문가로 디램(DRAM), 낸드(NAND), 로직 등 차세대 제품의 독보적 공정개발 역량을 확보한 공로를 인정 받았다. 황기현 삼성전자 부사장 [삼성전자 ] 황 부사장은 ▲1967년생 ▲서울대 무기재료공학 학·석·박사 ▲1997년 삼성전자 RS기술팀 ▲2001년…

[삼성 프로필] 황기현 삼성전자 반도체연구소 부사장

[아이뉴스24 민혜정 기자] 삼성전자는 2021년 정기 임원 인사를 실시하고 황기현 반도체연구소 파운드리 공정개발팀장을 부사장으로 승진시켰다고 4일 발표했다. 황 부사장은 디퓨전(Diffusion) 공정개발에 대한 세계최고 수준의 기술력을 보유한 전문가로 디램(DRAM), 낸드(NAND), 로직 등 차세대 제품의 독보적 공정개발 역량을 확보한 공로를 인정 받았다. 황기현 삼성전자 부사장 [삼성전자 ] 황 부사장은 ▲1967년생 ▲서울대 무기재료공학 학·석·박사 ▲1997년 삼성전자 RS기술팀 ▲2001년…

“가혹한 위기, 시간 없다” 이재용, 화성 반도체연구소 찾은 이유

지난 15일 반도체 사장단과 만난 지 닷새 만 / “미래 기술 빨리 우리 것으로” 주문 / 환경안전 팀장들과 만나 안전 중요성도 강조 19일 경기도 화성 삼성전자 반도체 연구소 찾은 이재용 부회장.(오른쪽서 두 번째) 삼성전자 제공   이재용 삼성전자 부회장이 경기도 화성에 있는 반도체사업장을 찾아 전례 없는 대내외 위기 상황 속 ‘초격차’를 또 한 번 강조했다.   19일…

[프로필] 신유균 삼성전자 반도체연구소 Flash TD팀장(부사장)

신유균 삼성전자 반도체연구소 Flash TD팀장(부사장) 삼성전자는 2020년 정기 임원인사를 통해 삼성전자 반도체연구소 Flash TD팀장에 신유균 부사장을 승진 선임했다고 21일 밝혔다. 신유균 부사장은 Planar, V-Nand 등 Flash 전 제품에 대한 단위공정 및 Integration 분야 최고 수준의 전문가로 V-Nand 선행제품 개발을 주도했다. ◇ 신유균 삼성전자 반도체연구소 Flash TD팀장(부사장) 약력 ▲ 54세(1965년생) ▲카이스트 재료공학 (2002년 박사)…